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物理学前沿讲坛(三)张汇 :低维量子功能材料和约瑟夫森器件的制备与探索
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物理学前沿讲坛(三)张汇 :低维量子功能材料和约瑟夫森器件的制备与探索
  点击数: 32 发布时间:2019-10-22

报告时间:2019102414:3016:30

报告地点:翡翠湖校区科教楼第五会议室

人:张汇研究员

工作单位:合肥微尺度物质科学国家研究中心,中国科学技术大学

举办单位:电子科学与应用物理学院/微电子学院

报告人简介:张汇,中国科学技术大学合肥微尺度物质科学国家研究中心研究员,博士生导师,中科院“百人计划”青年俊才。他2012年在中科大获得博士学位,2013年进入加拿大滑铁卢大学量子计算中心从事博士后研究工作,20172月,引进至合肥微尺度物质科学国家研究中心。主要研究方向是低维关联电子体系的扫描隧道显微学研究、拓扑量子材料和异质结的制备科学(分子束外延技术,MBE器件研发、真空互联系统和功能性扫描设备设计与研制等。目前已在国内外知名学术期刊Phys. Rev. Lett.Phys. Rev. B等上发表多篇研究论文。

报告简介拓扑绝缘体是一种拓扑非平庸的材料,它存在有限能隙的体能带和拓扑保护的导电边缘态。三维拓扑绝缘体表面存在一种自旋轨道耦合和时间反演对称性保护的新型自旋极化表面态。当在磁性掺杂的三维拓扑绝缘体材料内引入超导,有可能寻找到马约拉纳费米子。由于这类材料本身的复杂性,当前构造三维拓扑绝缘体材料异质结和调控磁性拓扑绝缘体性质都存在很多困难。我们研究发现利用分子束外延多步生长技术,可以很容易构建出具有双拓扑表面态的垂直拓扑超导约瑟夫森结Nb/(Bi0.5Sb0.5)2Te3/Nb低温该约瑟夫森结存在两个拓扑超导表面导致的约瑟夫森临界电流通过继续降低温度会出现一个在超导/拓扑绝缘体界面上的非常规配对零偏压电导峰。此外我们尝试了一种中度掺杂Cr的磁性拓扑绝缘体材料(Bi0.41Sb0.59)1.39Cr0.61Te3观察到明显的磁性和Shubnikov-deHaas振荡效应薄膜材料存在很高的迁移率和载流子浓度,这为未来开发高性能薄膜量子功能器件提供新思路

报告人照片

 
 
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