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张汇教授为我院师生做学术报告
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张汇教授为我院师生做学术报告
  点击数: 64 发布时间:2019-10-25

20191024日,秋风送叶飞,霜降暮秋柳梢垂正逢霜降之时,电子科学与应用物理学院有幸请到工作于中国科学技术大学合肥微尺度物质科学国家研究中心研究员张汇教授,为我院师生做低维量子功能材料和约瑟夫森器件的制备与探索”的学术报告。

报告伊始,主持人为在座师生介绍张汇教授的研究领域与个人经历。与会人员热烈的掌声欢迎张教授的到来张汇教授是中国科学技术大学合肥微尺度物质科学国家研究中心研究员,博士生导师,中科院“百人计划”青年俊才。主要研究方向是低维关联电子体系的扫描隧道显微学研究、拓扑量子材料和异质结的制备科学(分子束外延技术,MBE器件研发、真空互联系统和功能性扫描设备设计与研制等。目前已在国内外知名学术期刊Phys. Rev. Lett.Phys. Rev. B等上发表多篇研究论文。

随后,张汇教授向与会的老师与学生介绍了拓扑绝缘体这种非平庸的拓扑材料与基本特点。拓扑绝缘体存在有限能隙的体能带和拓扑保护的导电边缘态,三维拓扑绝缘体表面存在一种自旋轨道耦合和时间反演对称性保护的新型自旋极化表面态。当在磁性掺杂的三维拓扑绝缘体材料内引入超导,有可能寻找到马约拉纳费米子。我们研究发现利用分子束外延多步生长技术,可以很容易构建出具有双拓扑表面态的垂直拓扑超导约瑟夫森结Nb/(Bi0.5Sb0.5)2Te3/Nb,通过降低温度会出现一个在超导/拓扑绝缘体界面上的非常规配对零偏压电导峰。并且试用一种中度掺杂Cr的磁性拓扑绝缘体材料(Bi0.41Sb0.59)1.39Cr0.61Te3,并观察到了明显的磁性和Shubnikov-deHaas振荡效应。此类高迁移率和载流子浓度的材料为未来开发高性能薄膜量子功能器件提供新思路。

报告结束后,与会的各位学生老师对报告内容产生浓厚的兴趣,提出了许多领域内相关的学术问题,张汇教授对这些问题进行逐一解答。并对当前领域依靠高性能薄膜量子器件的应用前景和拓扑绝缘体材料的热点研究方向进行了交流与探讨。该报告反映了如今拓扑绝缘材料研究的前瞻性和新思路,给我院师生带来诸多启发。感谢张汇教授此行的慷慨分享。

报告人简介:

张汇,中国科学技术大学合肥微尺度物质科学国家研究中心研究员,博士生导师,中科院“百人计划”青年俊才。他2012年在中科大获得博士学位,2013年进入加拿大滑铁卢大学量子计算中心从事博士后研究工作,20172月,引进至合肥微尺度物质科学国家研究中心。主要研究方向是低维关联电子体系的扫描隧道显微学研究、拓扑量子材料和异质结的制备科学(分子束外延技术,MBE器件研发、真空互联系统和功能性扫描设备设计与研制等。目前已在国内外知名学术期刊Phys. Rev. Lett.Phys. Rev. B等上发表多篇研究论文。

报告简介

拓扑绝缘体是一种拓扑非平庸的材料,它存在有限能隙的体能带和拓扑保护的导电边缘态。三维拓扑绝缘体表面存在一种自旋轨道耦合和时间反演对称性保护的新型自旋极化表面态。当在磁性掺杂的三维拓扑绝缘体材料内引入超导,有可能寻找到马约拉纳费米子。由于这类材料本身的复杂性,当前构造三维拓扑绝缘体材料异质结和调控磁性拓扑绝缘体性质都存在很多困难。我们研究发现利用分子束外延多步生长技术,可以很容易构建出具有双拓扑表面态的垂直拓扑超导约瑟夫森结Nb/(Bi0.5Sb0.5)2Te3/Nb低温该约瑟夫森结存在两个拓扑超导表面导致的约瑟夫森临界电流通过继续降低温度会出现一个在超导/拓扑绝缘体界面上的非常规配对零偏压电导峰。此外我们尝试了一种中度掺杂Cr的磁性拓扑绝缘体材料(Bi0.41Sb0.59)1.39Cr0.61Te3观察到明显的磁性和Shubnikov-deHaas振荡效应薄膜材料存在很高的迁移率和载流子浓度,这为未来开发高性能薄膜量子功能器件提供新思路

 
 
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