学院创新实践系列专题报告(3)-基于缺陷抑制和应力调控的氮化镓基高效红光LED研究
发布时间:2021-03-26    发布人:许高斌    阅读次数:10

报告题目:

学院创新实践系列专题报告(3)-基于缺陷抑制和应力调控的氮化镓基高效红光LED研究



报告时间:202133115:3016:30

报告地点:合肥工业大学翡翠湖校区七教304

报告人:邢琨 副教授

工作单位:合肥工业大学微电子学院



报告人简介:

邢琨,合肥工业大学微电子学院副教授,硕士生导师。长期从事宽禁带半导体材料的MOCVD外延和相关光电器件微纳制程工艺的研究工作。承担多项由英国工程和自然研究委员会拨款的国家级重点科研项目;主持4III族氮化物半导体企业科技合作课题项目,推进科研成果的有效转化。迄今,已在Applied Physics LettersSCI学术期刊发表多篇论文,并获得已授权专利2项。

报告内容简介:

新一代绿色环保、健康节能的高效GaN基红光LED是世界科技的前沿和我国发展的重大需求,对促进健康照明、micro-LED全彩显示和可见光通讯等领域的发展具有重大价值和现实意义,也是带动产业升级的重要举措。目前,GaN基红光LED存在的问题包括:大失配异质外延条件下引起较高的GaN晶体缺陷密度进而导致载流子非辐射复合效率大幅上升的问题;大失配异质外延条件下引起较大的GaN晶格应力进而导致实现长波段可见光输出困难的问题。本次报告重点介绍提升GaN晶体质量并降低GaN晶格应力的有效手段与关键技术。

主办单位:学院创新中心、学院团委


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