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宁伟研究员学术报告会
  点击数: 1252 发布时间: 2016-10-25 10:19:00
 

宁伟:强磁场下拓扑绝缘体Bi2Te3纳米线和Bi纳米带的量子输运特性

报告时间: 20161026(周三)上午930

报告地点: 斛兵楼2010会议室

人: 宁伟 研究员

工作单位: 中科院强磁场中心

举办单位: 电子科学与应用物理学院/微电子学院

个人简介:

    宁伟,博士,研究员。2009年博士毕业于中国科学院物理研究所,之后进入在中科院宁波材料技术与工程研究所做博士后研究,期间获“中国科学院王宽诚博士后工作奖励基金”资助。20106月进入中科院强磁场中心工作,2015 年起任中科院强磁场中心研究员。目前主要从事强磁场下拓扑材料的量子输运特性研究。目前主持或参与国家重点研发计划项目、国家自然科学基金面上项目、国家自然科学基金大科学装置联合基金以及国家自然科学基金青年项目等。在Nat. Commun.Phys. Rev. Lett., Scientific ReportsPhys. Rev. BAppl. Phys. Lett.等期刊上发表论文20余篇。

内容简介:

    拓扑绝缘体是近几年发现的新物质态,其体电子态是有能隙的绝缘体,而其表面则是无能隙的金属态。由于表面电子几乎没有质量且自旋具有手性,在量子信息和量子计算等方面具有极大的潜在应用。在实验上,由于样品中的缺陷或空位会使其偏离绝缘体性质而成为金属,因此如何利用电输运手段探测到真正的拓扑表面态是当前研究中的热点和难点。本次报告将首先介绍强磁场下单根拓扑绝缘体Bi2Te3单晶纳米线的量子输运性能研究结果,然后介绍在Bi纳米带中的研究进展,包括通过测量单根Bi纳米带在强磁场下的量子输运性能,发现Bi纳米带是一种量子尺寸效应导致的拓扑绝缘体材料等。

 
 
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